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氮化镓（GaN）是制造LED的重要材料被誉为第三代半导体材料镓（31Ga）的氧化物和氢氧化物均为两性化合物工业制备氮化镓的工艺流程如图所示下列判断正确的是（　　）A.Ga位于第五周期第ⅢA族B.酸性Al（OH）3＞Ga（OH）3C.Ga（OH）3可与NaOH反应生成NaGaO2D.Ga与NH3反应的另一种生成物可用作航天燃料","title_text":"氮化镓（GaN）是制造LED的重要材料被誉为第三代半导体材料镓（31Ga）的氧化物和氢氧化物均为两性化合物工业制备氮化镓的工艺流程如图所示下列判断正确的

2022-08-20 22:39:46 社会动态来源：

导读想必现在有很多小伙伴对于氮化镓（GaN）是制造LED的重要材料，被誉为“第三代半导体材料”。镓（31Ga）的氧化物和氢氧化物均为两性化合物

想必现在有很多小伙伴对于氮化镓（GaN）是制造LED的重要材料，被誉为“第三代半导体材料”。镓（31Ga）的氧化物和氢氧化物均为两性化合物，工业制备氮化镓的工艺流程如图所示。下列判断正确的是（　　）A.Ga位于第五周期第ⅢA族B.酸性：Al（OH）3＞Ga（OH）3C.Ga（OH）3可与NaOH反应生成NaGaO2D.Ga与NH3反应的另一种生成物可用作航天燃料","title_text":"氮化镓（GaN）是制造LED的重要材料，被誉为“第三代半导体材料”。镓（31Ga）的氧化物和氢氧化物均为两性化合物，工业制备氮化镓的工艺流程如图所示。下列判断正确的是（　　）A.Ga位于第五周期第ⅢA族B.酸性：Al（OH）3＞Ga（OH）3C.Ga（OH）3可与NaOH反应生成NaGaO2D.Ga与NH3反应的另一种生成物可用作航天燃料方面的知识都比较想要了解，那么今天小好小编就为大家收集了一些关于氮化镓（GaN）是制造LED的重要材料，被誉为“第三代半导体材料”。镓（31Ga）的氧化物和氢氧化物均为两性化合物，工业制备氮化镓的工艺流程如图所示。下列判断正确的是（　　）A.Ga位于第五周期第ⅢA族B.酸性：Al（OH）3＞Ga（OH）3C.Ga（OH）3可与NaOH反应生成NaGaO2D.Ga与NH3反应的另一种生成物可用作航天燃料","title_text":"氮化镓（GaN）是制造LED的重要材料，被誉为“第三代半导体材料”。镓（31Ga）的氧化物和氢氧化物均为两性化合物，工业制备氮化镓的工艺流程如图所示。下列判断正确的是（　　）A.Ga位于第五周期第ⅢA族B.酸性：Al（OH）3＞Ga（OH）3C.Ga（OH）3可与NaOH反应生成NaGaO2D.Ga与NH3反应的另一种生成物可用作航天燃料方面的知识分享给大家，希望大家会喜欢哦。

1、A．Ga处于第四周期第ⅢA族，故A错误；B．由流程图可知偏铝酸钠易与二氧化碳反应，则酸性：Al（OH）3＜Ga（OH）3，故B错误；C．Ga（OH）3具有两性，可与NaOH反应生成NaGaO2，故C正确；D．反应的化学方程式为Ga+2NH3$frac{underline{;;△;;}}{;}$2GaN+3H2，氢气可用于航天材料，故D正确。

2、故选：CD。

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